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三星搶跑!第六代還沒量產:下一代DRAM內存測試線已開建
三星搶跑!第六代還沒量產:下一代DRAM內存測試線已開建
2024-12-19 閱讀:533

快科技12月18日消息,據韓國媒體報道,三星電子正加速布局下一代DRAM技術,在第六代DRAM尚未量產之際,已著手建立第七代(1d)DRAM的測試線。

報道稱,三星已在平澤P2廠建置10納米級的第七代DRAM測試線,并預計明年第一季度完全建成,以提高良率并拉開與競爭對手的技術差距。

這條被稱為“單路徑線”的測試線,將用于測試新半導體產品的量產潛力,一旦下一代芯片性能在研發階段確定,就會在此引進晶圓,開始提高量產良率。

目前尚不確定平澤10納米級第七代DRAM廠房的規模,但通常安裝測試線每月可處理約1萬片晶圓。

三星計劃在2026年前量產第七代DRAM,而其前身第六代(1c)DRAM計劃明年(2025年)量產,因此,第七代測試線與第六代DRAM量產的準備工作同步進行。

業界認為,三星在第六代DRAM還未進入量產階段前就為第七代建置廠房,是為了明年重奪優勢的起步年所進行的投資。

三星HBM市場被第二大公司SK海力士奪走,10納米級第六代內存的開發速度也落后于對手,為了奪回領導地位,三星必須加快產品開發速度。

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責任編輯:黑白

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